分子束外延（MBE）芯片用超高纯原材料研制项目】项目主要研制分子束外延用超高纯锑（>99.99999%)、超高纯镓（>99.999995%)、超高纯砷（>99.999995%)、超高纯铝（>99.99995%)几种材料提纯技术和提纯设备、高纯铸型工艺和高纯包装技术。超高纯锑、镓、砷、铝等高纯源是MBE技术核心的原材料，材料的杂质含量对于芯片的性能影响至关重要。MBE用高纯原材料长期全部依赖进口，进口替代需求迫切。分子束外延（MBE）芯片技术作为最前沿的新一代半导体芯片制备技术，用这种技术能制备薄到几十个原子层的单晶薄膜，以及交替生长不同组分、不同掺杂的薄膜而形成的超薄层量子显微结构材料，可用来制备现有的大部分器件，而且也可以制备许多新器件，包括其它方法难以实现的，如借助原子尺度膜厚控制而制备的超晶格结构高电子迁移率晶体管和多量子阱型激光二极管等，其外延芯片广泛用于光通信、电子工业、半导体工业、合金材料、医药医疗设备等行业和领域。